Caractérisation des défauts dans les jonctions des MOSFET fabriqués à bas budget thermique

Rejoignez le CEA-Leti et le CROMA pour analyser en profondeur les jonctions d'une nouvelle technologie. Nos transistors sont fabriqués avec un budget thermique limité pour l'intégration séquentielle en 3D, ce qui rend l'activation des dopants très difficile. Notre équipe vous apportera son soutien technique et scientifique pour mener à bien ces travaux. Certaines données sont déjà disponibles et n'attendent plus que votre analyse. Au cours de ce doctorat, vous aurez l'occasion de caractériser en profondeur Une idée initiale (simulation, bibliographie, TCAD) 20 % La Compréhension des procédés (implantation, SPER) 10 % Accompagnée de : La gestion de l'intégration et de la fabrication en salle blanche 10 % La caractérisation (physique et électrique : bruit, DLTS…) 50 % Et la valorisation (présentations, article) 10 % Ce doctorat offre une chance unique d'être à la pointe de l'innovation technologique et d'avoir un impact significatif dans le domaine du SOI avancé. Rejoignez-nous et faites le premier pas vers une carrière passionnante dans la recherche et le développement ! École doctorale : EEATS - Electronique, Electrotechnique, Automatique, Traitement du Signal Direction : Quentin RAFHAY Financement : Concours Labex