PosteÉlectronique

INGENIEUR D’ETUDES (H/F) : Fabrication et caractérisation de transistors HEMT-GaN pour des applications en bande W

CNRS

Électronique

Laboratoire

Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie

Lieu

VILLENEUVE D ASCQ • Nord

Description

INGENIEUR D’ETUDES (H/F) : Fabrication et caractérisation de transistors HEMT-GaN pour des applications en bande W Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie VILLENEUVE D ASCQ • Nord IT en contrat CDD · 6 mois · BAC+3/4

Mots-clés

IT en contrat CDD6 moisBAC+3/4